大気開放プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーョン技術の開発

• 藤原 裕平

  大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻

• 金谷 優樹

  大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻

• 山田 高寛

  大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻

• 大参 宏昌

  大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻

• 垣内 弘章

  大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻

• 安武 潔

  大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻

抄録

Si熱酸化膜は，優れた界面特性を有することから高効率結晶Si太陽電池のパッシベーション膜として用いられている．しかし，熱酸化プロセスは800～900℃の高温で行われるためプロセスの低温化が望まれている．そこで，我々は大気圧プラズマ酸化によるSiO2の低温・高速形成について研究を行っている．本報ではキャリアガスにArを用いて形成したSiO2の酸化特性および界面特性を調べた結果について報告する．

収録刊行物

• 精密工学会学術講演会講演論文集

  精密工学会学術講演会講演論文集 2013A (0), 583-584, 2013

  公益社団法人 精密工学会

キーワード

• パッシベーション

詳細情報

• CRID: 1390001205655104896
• NII論文ID: 130004661311
• DOI: 10.11522/pscjspe.2013a.0.583.0
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可