大気圧RF プラズマを用いたZnO薄膜の高速形成

DOI
  • 長嶋 優
    大阪大　工学部　応用自然科学科
  • 水野 裕介
    大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻
  • 山田 高寛
    大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻
  • 大参 宏昌
    大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻
  • 垣内 弘章
    大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻
  • 安武 潔
    大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • High rate deposition of ZnO thin films using atmospheric-pressure radio-frequency plasma
  • Influence of working parameters on the growth of ZnO films
  • 成膜パラメータが成長様式に及ぼす影響

抄録

透明電極材料として主流であるITO(Indium Tin Oxide)はレアメタルであるInを含むため、ZnOはその代替材料として有望視されている。本研究では、高速でZnO薄膜を形成することを目的とし、大気圧プラズマCVD法によるZnO薄膜の成膜技術の開発を行っている。本稿では、基板温度と酸素流量の条件を変えることによる膜成長の様子の違いを報告する。基板温度よって膜質は大きく異なり、Zn原料の分解は主に基板表面上で起こっていることが分かった。

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680631816064
  • NII論文ID
    130004661312
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2013a.0.585.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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