SiC(0001)上のエピタキシャルSiON超薄膜

• 白澤 徹郎

  東大物性研

• 林 賢二郎

  九大総理工

• 中辻 寛

  東大物性研

• 坂本 一之

  千葉大院融合

• 水野 清義

  九大総理工

• 小森 文夫

  東大物性研

• 田中 悟

  九大工院

• 栃原 浩

  九大総理工

書誌事項

タイトル別名

• SiON ultrathin film epitaxially grown on SiC(0001)

抄録

SiCは次世代半導体材料として近年特に注目されている。重要な開発課題の１つが良質な絶縁膜及び界面の作製である。本研究ではSiC(0001)上に秩序SiON超薄膜がエピタキシャル成長することを見出し、その結晶構造と電子状態を調べた。その結果、膜中と界面にダングリングボンドはなく、界面準位も存在しないことが明らかになった。SiCの界面問題の解消に非常に重要な物質となることが期待される。

収録刊行物

• 表面科学講演大会講演要旨集

  表面科学講演大会講演要旨集 27 (0), 171-171, 2007

  公益社団法人 日本表面科学会

詳細情報

• CRID: 1390282680622927872
• NII論文ID: 130004673730
• DOI: 10.14886/sssj.27.0.171.0
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可