グラファイト化進行中における6HSiC(0001)表面に吸着した水素の脱離特性

• 青木 悠樹

  東工大総理工

• 平山 博之

  東工大総理工

書誌事項

タイトル別名

• Hydrogen desorption from 6HSiC(0001) surfaces during graphitization

抄録

6H-SiC(0001)基板を真空中で加熱処理し、再構成した試料表面に水素原子の吸着を行い、昇温脱理法により水素脱離特性の測定を行った。その結果、3x3から√3x√3への再構成において脱離スペクトルの形状が大きく変化し、一方√3x√3から6√3x6√3への再構成においては大きな変化が見られなかった。なお、再構成表面の評価にはLEED、AESを用い、これらの結果と合わせ講演を行う。

収録刊行物

• 表面科学学術講演会要旨集

  表面科学学術講演会要旨集 29 (0), 189-189, 2009

  公益社団法人 日本表面真空学会

詳細情報

• CRID: 1390282680656462080
• NII論文ID: 130004674169
• DOI: 10.14886/sssj2008.29.0.189.0
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可