多孔質裏打ち電鋳法によるナノ精度表面形状転写プロセスの構築

DOI
  • 三村 秀和
    大阪大学 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
  • 石倉 寛之
    大阪大学 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
  • 松山 智至
    大阪大学 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
  • 佐野 泰久
    大阪大学 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
  • 山内 和人
    大阪大学 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Development of nanometer-level accurate surface figure replication process

抄録

本研究の目的は、ナノメートルレベルで作製されたマスター基板を、ナノメートルの精度で、形状と表面粗さ転写し、複製する手法の開発を目指している。本手法では、電鋳法をベースとし、多孔質材で裏打ちをするという方法で、従来の電鋳法の問題点を解決している。スルファミン酸ニッケルを使用し、常温環境下での電析プロセスを開発し、転写精度として、50mm×5mmの領域で100nm(P-V)レベルを達成している。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205651779584
  • NII論文ID
    130005029570
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2009s.0.263.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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