刃状転位ネットワークの選択エッチングによるSiGeナノドット二次元配列構造の形成

• 中村 芳明

  阪大院基礎工

• 高橋 雅彦

  阪大院基礎工

• 吉川 純

  阪大院基礎工

• 中塚 理

  名大院工

• 財満 鎭明

  名大院工

• 酒井 朗

  阪大院基礎工

書誌事項

タイトル別名

• Two-dimensional nanoarray of SiGe nanodots self-organized by selective etching method of edge dislocation network

抄録

SiGe/Si薄膜界面に存在する転位ネットワークを選択エッチングすることによって、30nm程度の周期をもったエピタキシャルSiGeナノドットの二次元規則配列構造を自己形成する技術を開発した。さらに、我々はエッチング反応機構を考慮することで、プロセス技術の制御性の向上や配列周期の制御に成功した。本講演ではこのプロセス技術について詳細に報告する。

収録刊行物

• 表面科学学術講演会要旨集

  表面科学学術講演会要旨集 30 (0), 223-223, 2010

  公益社団法人 日本表面真空学会

詳細情報

• CRID: 1390001205680024960
• NII論文ID: 130005038008
• DOI: 10.14886/sssj2008.30.0.223.0
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可