(001)微斜面基板における燐ドープCVDダイヤモンド薄膜のホモエピタキシャル成長

• 西尾 晴樹

  阪大工

• 日高 輝洋

  阪大工

• 毎田 修

  阪大工

• 伊藤 利道

  阪大工

書誌事項

タイトル別名

• Homoepitaxial growth of P-doped CVD diamond films on (001) vicinal substrates

抄録

当研究室では、いまだに報告例の少ない(001)面基板上の燐ドープn型ホモエピタキシャル薄膜の合成を報告してきた。 さらに、本研究では表面平坦性の向上、取込み燐濃度の増大や電子移動度の向上を目指し、(001)微斜面基板における燐ドープホモエピタキシャル薄膜の合成を行い、合成条件の適正化を行った。 得られた試料の諸特性は、光学顕微鏡観察、カソードルミネッセンス(CL)測定、 SIMS測定やホール測定により評価した。

収録刊行物

• 表面科学学術講演会要旨集

  表面科学学術講演会要旨集 30 (0), 275-275, 2010

  公益社団法人 日本表面真空学会

詳細情報

• CRID: 1390001205678681344
• NII論文ID: 130005038063
• DOI: 10.14886/sssj2008.30.0.275.0
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可