3元トポロジカル絶縁体TlBiSe₂におけるディラック表面状態の観測

• 黒田 健太

  広大理

• 叶 茂

  広大理

• 木村 昭夫

  広大理

• Eremeev S. V

  トムスク大

• Krasovskii E. E

  スペインDIPC

• Chulkov E. V

  スペインDIPC

• 植田 義文

  呉高専電

• 宮本 幸治

  広大放射セ

• 奥田 太一

  広大放射セ

• 島田 賢也

  広大放射セ

• 生天目 博文

  広大放射セ

• 谷口 雅樹

  広大理 広大放射セ

書誌事項

タイトル別名

• Experimental Realization of Three-Dimensional Topological Insulator Phase in Ternary Chalcogenide TlBiSe₂

抄録

トポロジカル絶縁体は完全スピン偏極ディラック表面電子状態を持った特殊な物質として知られる。これまでに幾つかの物質でディラック表面電子が観測されている。その中、最近新たにタリウム系三元カルコゲナイド化合物がトポロジカル絶縁体の候補として予言された。本研究ではそのトポロジカル絶縁体の候補であるTlBiSe₂の角度分解光電子分光法によるディラック表面電子状態の直接観測を行った。

収録刊行物

• 表面科学学術講演会要旨集

  表面科学学術講演会要旨集 30 (0), 415-415, 2010

  公益社団法人 日本表面真空学会

詳細情報

• CRID: 1390001205679141504
• NII論文ID: 130005038217
• DOI: 10.14886/sssj2008.30.0.415.0
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可