Experimental Realization of Three-Dimensional Topological Insulator Phase in Ternary Chalcogenide TlBiSe₂

• Kuroda Kenta

  Grad. Sch. of Sci., Hiroshima Univ.

• Ye Mao

  Grad. Sch. of Sci., Hiroshima Univ.

• Kimura Akio

  Grad. Sch. of Sci., Hiroshima Univ.

• Eremeev S. V

  Tomsk Univ., Russia

• Krasovskii E. E

  DIPC, Spain

• Chulkov E. V

  DIPC, Spain

• Ueda Yoshihumi

  Elec. Eng., Kure Nat. Coll. of Tech.

• Miyamoto Koji

  HSRC, Hiroshima Univ.

• Okuda Taichi

  HSRC, Hiroshima Univ.

• Shimada Kenya

  HSRC, Hiroshima Univ.

• Namatame Hirohumi

  HSRC, Hiroshima Univ.

• Taniguchi Masaki

  Grad. Sch. of Sci., Hiroshima Univ. HSRC, Hiroshima Univ.

Bibliographic Information

Other Title

• 3元トポロジカル絶縁体TlBiSe₂におけるディラック表面状態の観測

Abstract

トポロジカル絶縁体は完全スピン偏極ディラック表面電子状態を持った特殊な物質として知られる。これまでに幾つかの物質でディラック表面電子が観測されている。その中、最近新たにタリウム系三元カルコゲナイド化合物がトポロジカル絶縁体の候補として予言された。本研究ではそのトポロジカル絶縁体の候補であるTlBiSe₂の角度分解光電子分光法によるディラック表面電子状態の直接観測を行った。

Journal

• Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan

  Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 30 (0), 415-415, 2010

  The Japan Society of Vacuum and Surface Science

Details

• CRID: 1390001205679141504
• NII Article ID: 130005038217
• DOI: 10.14886/sssj2008.30.0.415.0
• Text Lang: ja
• Data Source:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• Abstract License Flag: Disallowed