コバルト酸化物ナノワイヤ構造体における不揮発性抵抗変化メモリ効果

• 長島 一樹

  阪大産研

• 柳田 剛

  阪大産研・JSTさきがけ

• 岡 敬祐

  阪大産研

• 谷口 正輝

  阪大産研・JSTさきがけ

• 川合 知二

  阪大産研

• Jinsoo Kim

  建国大

• Bae Ho Park

  建国大

収録刊行物

• 化学工学会　研究発表講演要旨集

  化学工学会　研究発表講演要旨集 2010f (0), 231-231, 2010

  公益社団法人 化学工学会

キーワード

• Oxide nanowire
• VLS
• Nonvolatile Resistive Switching

詳細情報

• CRID: 1390001205684063104
• NII論文ID: 130005042662
• DOI: 10.11491/scej.2010f.0.231.0
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles