半導体微細化技術の現状と今後の展望:—半導体の未来を描く極端紫外光 (EUV) 露光光源—  [in Japanese] Extreme Ultra Violet (EUV) Light Source for Future High Volume Manufacturing of Semiconductor  [in Japanese]

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1.はじめに 半導体の微細化の道筋はITRSのロードマップ<sup>(1)</sup>によれば,2011年に22 nm NAND Flashメモリの量産がダブルパターニングで開始された (図1) 。また16 nmでは過去EUVが本命とされていたが,光源出力の問題から量産技術の選択からはずされ (2012年),現在ではArF液浸リ

Journal

  • The Journal of The Institute of Electrical Engineers of Japan

    The Journal of The Institute of Electrical Engineers of Japan 135(5), 302-305, 2015

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

Keywords

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    130005066795
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10432927
  • Text Lang
    JPN
  • ISSN
    1340-5551
  • NDL Article ID
    026422370
  • NDL Call No.
    Z16-177
  • Data Source
    NDL  J-STAGE 
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