書誌事項
- タイトル別名
-
- Coupling Capacitance Extraction between TSVs in 3D ICs Using Inverse of Inductance Matrix
- インダクタンス ギャクギョウレツ オ モチイタ サンジゲン シュウセキ カイロ ノ カンツウ シリコンビア カン ケツゴウ ヨウリョウ チュウシュツ
この論文をさがす
抄録
For extracting coupling capacitances between through silicon vias (TSVs) in three dimensional integrated circuits (3D ICs), a method using the inverse of inductance matrix was investigated. We clarify the accuracy of the method by various structures such as same/different diameters and regular/irregular arrangements. When a huge number of TSVs were used, the inductance matrix gets very large. Therefore, we propose a method for getting coupling capacitances with reasonable accuracy by a small inductance matrix when a lot of TSVs with the same diameter were located regularly.
収録刊行物
-
- 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌)
-
電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) 135 (7), 744-751, 2015
一般社団法人 電気学会
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390001204608731008
-
- NII論文ID
- 130005086250
-
- NII書誌ID
- AN10065950
-
- ISSN
- 13488155
- 03854221
-
- NDL書誌ID
- 026607772
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
- KAKEN
-
- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可