GaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETにおけるソースおよびドレイン不純物濃度依存性

• 岩田 真次郎

  東京工業大学

• 大橋 一水

  東京工業大学

• 林 文博

  東京工業大学

• 福田 浩一

  産業技術総合研究所

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

書誌事項

タイトル別名

• Source and Drain Concentration Dependence on Double Gate GaAsSb/InGaAs Tunnel FET
• GaAsSb/InGaAs ダブルゲートトンネル FET ニ オケル ソース オヨビ ドレイン フジュンブツ ノウド イソンセイ

抄録

We report the dependence of I-V characteristics on doping concentration in a GaAsSb/InGaAs Double-Gate Tunnel FET (GaAsSb/InGaAs DG TFET) by simulation. Increase of doping concentration at source region is effective to achieve high on-current. However, it leads degradation of off-current. To suppress off-current, low doping concentration at drain region is effective, although on-current is decreased by high series resistance in the drain when drain concentration is too low. As a result of optimization, we obtain I_ON of 466 µA/µm and I_OFF of 10 pA/µm at V_DD 0.5 V in a GaAsSb/InGaAs DG TFET.

収録刊行物

• 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）

  電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌） 136 (4), 467-473, 2016

  一般社団法人 電気学会

キーワード

• トンネルFET
• サブスレッショルドスロープ
• オン電流
• キャリア枯渇
• InGaAs
• GaAsSb

詳細情報

• CRID: 1390001204608047616
• NII論文ID: 130005141655
• NII書誌ID: AN10065950
• DOI: 10.1541/ieejeiss.136.467
• ISSN: 13488155
• ISSN: 03854221
• NDL書誌ID: 027298428
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I027298428
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/136/4/136_467/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可