バイアス電圧を基板に印加して作製したRFスパッタ膜の組成が変化する現象に対する一考察（第二報）

• 松﨑 一成

  九州工業大学大学院工学府

• 佐々木 巌

  九州工業大学大学院生命体工学研究科

• 砂原 賢治

  福岡工業大学工学部

• 松田 健次

  九州工業大学大学院工学府

書誌事項

タイトル別名

• Mechanism of composition changing on RF sputtered films -Part 2-

抄録

RFスパッタにより，基板にバイアス電圧を印加して作製した二硫化モリブデン膜の組成比が構成元素のイオン化と関係して変化する事を報告した。本発表では，他の膜性状がこのメカニズムにより変化する事を考察する。

収録刊行物

• 表面科学学術講演会要旨集

  表面科学学術講演会要旨集 36 (0), 26-, 2016

  公益社団法人 日本表面真空学会

詳細情報

• CRID: 1390001205677772800
• NII論文ID: 130005175693
• DOI: 10.14886/sssj2008.36.0_26
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可