Effect of post annealing on the properties of ZnO-SnO2 thin film transistors

• Satoh Kazuo

  Technology Research Institute of Osaka Prefecture

• Murakami Shuichi

  Technology Research Institute of Osaka Prefecture

• Kanaoka Yusuke

  Technology Research Institute of Osaka Prefecture

• Yamada Yoshiharu

  Technology Research Institute of Osaka Prefecture

• Kakehi Yoshiharu

  Technology Research Institute of Osaka Prefecture

• Sakurai Yoshiaki

  Technology Research Institute of Osaka Prefecture

Bibliographic Information

Other Title

• ZnO-SnO2 薄膜トランジスタのポストアニール効果

Abstract

ZnO-SnO₂（ZTO）は、安価で環境に負荷をかけない元素で構成され、透過率が高く、アモルファスになりやすい。また、 非加熱条件で成膜しても、比較的高いHall移動度を示す。このため、大面積に均質で高電界効果移動度を有する透明薄膜トランジスタ（TFT）の作製が期待される材料である。本研究では、ウェットエッチングによる素子分離を行ったTFTに対して、ポストアニールを行い特性に与える影響を調べた。

Journal

• Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan

  Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 36 (0), 250-, 2016

  The Japan Society of Vacuum and Surface Science

Details

• CRID: 1390282680654507136
• NII Article ID: 130005175703
• DOI: 10.14886/sssj2008.36.0_250
• Text Lang: ja
• Data Source:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• Abstract License Flag: Disallowed