ポリシング前後におけるスラリー中の研磨微粒子径に関する研究

• 永井 利幸

  九工大　情報工学府学際情報工学専攻

• 八尋 新

  九工大　情報工学府学際情報工学専攻

• カチョーンルンルアン パナート

  九工大　情報工学府学際情報工学専攻

• 鈴木 恵友

  九工大　情報工学府学際情報工学専攻

抄録

CMPでは，複数の加工材料に対して最適なスラリーやポリシングパッドを適用させる必要がある．これらの部材を最適化するためには，材料除去メカニズムに基づき，スラリー中微粒子の種類や微粒子径，材質，薬液を選定することが重要である．そこで本研究では，サファイア，SiO2などの複数の基板に対して動的光散乱法（DLS）を用いて微粒子径の変化について評価したので報告する．

収録刊行物

• 精密工学会学術講演会講演論文集

  精密工学会学術講演会講演論文集 2016S (0), 371-372, 2016

  公益社団法人 精密工学会

キーワード

• CMP
• 動的光散乱法
• 微粒子径
• 材料除去メカニズム
• スラリー

詳細情報

• CRID: 1390001205654883072
• NII論文ID: 130005263876
• DOI: 10.11522/pscjspe.2016s.0_371
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可