ペロブスカイト酸化物への水素イオン導入によって誘起される抵抗スイッチング効果の発現機構

• 花田 明紘

  鳥取大学　産学・地域連携推進機構

• 三浦 寛基

  鳥取大学

• 野津 武志

  鳥取大学

• 岸田 悟

  鳥取大学 鳥取大学工学部附属　電子ディスプレイ研究センター

• 木下 健太郎

  鳥取大学 鳥取大学工学部附属　電子ディスプレイ研究センター

書誌事項

タイトル別名

• Development mechanism of resistive switching effect induced by introduction of hydrogen ions into perovskite oxides

抄録

我々はペロブスカイト酸化物に水素を導入することで，抵抗スイッチング効果が発現することを明らかにした．この効果は水素イオンの拡散に起因し，従来の酸素拡散型抵抗変化メモリに比べて高速化が期待される．しかし，水素イオンが結晶の何処に取り込まれ，電子状態にどの様な影響を与えるのか不明である．本研究ではX線吸収微細構造測定により，水素がペロブスカイト酸化物に及ぼす影響と抵抗スイッチング効果の関係を調査した．

収録刊行物

• 表面科学学術講演会要旨集

  表面科学学術講演会要旨集 33 (0), 256-, 2013

  公益社団法人 日本表面真空学会

キーワード

• 電子状態

詳細情報

• CRID: 1390282680654640640
• NII論文ID: 130005473077
• DOI: 10.14886/sssj2008.33.0_256
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可