バイアス印加硬X線光電子分光法によるゲートスタック構造内のポテンシャル分布の直接観測  [in Japanese]

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ゲートスタック構造内のポテンシャル分布は電気的手法では測定は困難である。我々はバイアス印加硬X線光電子分光法を用いてPt/HfO<sub>2</sub>/SiO<sub>2</sub>/Siゲートスタック構造のポテンシャル分布を直接的に観測することに成功した。Pt/HfO<sub>2</sub>界面で印加電圧に対応したポテンシャル変化が観測され、その起源はPt/HfO<sub>2</sub>界面に形成したSiO<sub>2</sub>由来と結論した。

Journal

  • Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 33(0), 76, 2013

    The Surface Science Society of Japan

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