電界中熱処理による窒化ガリウムの電極形成とコンタクト特性改善

• 土田 啓介

  大阪大学大学院

• 若狭 幸太

  大阪大学

• アイマン　ビン モハマド　ハリル

  大阪大学大学院

• 前田 将克

  日本大学　生産工学部

• 高橋 康夫

  大阪大学　接合科学研究所

書誌事項

タイトル別名

• Formation of electrode in GaN and improvement of contact properties by annealing in electrical field

抄録

p-GaNでは溶解している水素によりMgが不活性化されてしまう。高温雰囲気中でp-GaNに電界を形成することで電気特性が向上した。Au膜の電極で電界中熱処理を行うとコンタクト特性が向上することが明らかになった。

収録刊行物

• 溶接学会全国大会講演概要

  溶接学会全国大会講演概要 2014f (0), 300-301, 2014

  一般社団法人 溶接学会

キーワード

• 窒化ガリウム
• コンタクト特性
• 水素

詳細情報

• CRID: 1390282680676317696
• NII論文ID: 130005481723
• DOI: 10.14920/jwstaikai.2014f.0_300
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可