大気圧VHFプラズマによるSiの低温・高速成膜技術の開発

DOI
  • 坂口 尭之
    大阪大　大学院工学研究科　精密科学コース
  • 林 威成
    大阪大　大学院工学研究科　精密科学コース
  • 田牧 祥吾
    大阪大　大学院工学研究科　精密科学コース
  • 山田 高寛
    大阪大　大学院工学研究科　精密科学コース
  • 大参 宏昌
    大阪大　大学院工学研究科　精密科学コース
  • 垣内 弘章
    大阪大　大学院工学研究科　精密科学コース
  • 安武 潔
    大阪大　大学院工学研究科　精密科学コース

書誌事項

タイトル別名
  • TFT特性に対する電極長さの影響

抄録

アモルファスSi(a-Si)や微結晶Si(μc-Si)は薄膜太陽電池や薄膜トランジスタ(TFT)などの様々な薄膜デバイスの材料として期待が寄せられている．本研究では，150 MHzの超高周波電力で励起した大気圧プラズマによる低温かつ高速なa-Siおよびμc-Siの成膜技術の開発を目指している．本発表では，基板温度220 ℃でSi成膜する際の電極長さがボトムゲート型TFTの特性に及ぼす影響について検討した結果を報告する．

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680636332288
  • NII論文ID
    130005486095
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2015s.0_1075
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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