高圧力マイクロ波水素プラズマ中のH密度評価（キーノートスピーチ）

• 安武 潔

  大阪大，JST CREST

• 山田 高寛

  大阪大，JST CREST

• 垣内 弘章

  大阪大，JST CREST

• 大参 宏昌

  大阪大，JST CREST

抄録

高圧力マイクロ波水素プラズマによるSiの選択エッチング法を用いて、金属級Siから直接SiH₄を製造する方法を開発している。プラズマ中のH原子密度の測定は，SiH₄生成プロセスの理解と高効率化において重要である。本講演では，発光分光アクチノメトリおよびパワーバランスカロリメトリによるＨ原子密度の測定結果について紹介する。

収録刊行物

• 精密工学会学術講演会講演論文集

  精密工学会学術講演会講演論文集 2015S (0), 1071-1072, 2015

  公益社団法人 精密工学会

詳細情報

• CRID: 1390001205659633536
• NII論文ID: 130005486101
• DOI: 10.11522/pscjspe.2015s.0_1071
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可