シミュレーションによる挟ギャップマイクロ波プラズマの解析

• 足立 昂拓

  大阪大　工学研究科　精密化学コース

• 首藤 光利

  大阪大　工学研究科　精密化学コース

• 山田 高寛

  大阪大，JST CREST

• 大参 宏昌

  大阪大，JST CREST

• 垣内 弘章

  大阪大，JST CREST

• 安武 潔

  大阪大，JST CREST

抄録

太陽電池用Si原料として使用可能な高純度SiH4の新しい製造法の開発を目的として，珪砂および金属級Siの狭ギャップマイクロ波水素プラズマエッチングについて研究している．本発表では，電磁場シミュレーションによってプラズマ状態を解析したので報告する．計算によってプラズマ部の複素比誘電率を決定し、その値からプラズマ部の特性インピーダンスや導電率，電子密度を解析した．

収録刊行物

• 精密工学会学術講演会講演論文集

  精密工学会学術講演会講演論文集 2015S (0), 1073-1074, 2015

  公益社団法人 精密工学会

キーワード

• プラズマ
• 電磁場解析

詳細情報

• CRID: 1390282680636345472
• NII論文ID: 130005486103
• DOI: 10.11522/pscjspe.2015s.0_1073
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可