低温薄膜トランジスタへの応用に向けた大気圧プラズマCVDによるSi成膜プロセスの研究

DOI
  • 田牧 祥吾
    大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻
  • 坂口 尭之
    大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻
  • 木元 雄一朗
    大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻
  • 寺脇 功士
    大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻
  • 大参 宏昌
    大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻
  • 垣内 弘章
    大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻
  • 安武 潔
    大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻

抄録

アモルファスSi（a-Si）や微結晶Si（μc-Si）は薄膜太陽電池や薄膜トランジスタ（TFT）などの様々な薄膜デバイスの材料として必要不可欠なものとなっている．本研究では，150MHzの超高周波電力で励起した大気圧プラズマによる低温かつ高速なa-Siおよびμc-Siの成膜技術を開発している．本発表では，Si成膜プロセスにおけるガス滞在時間の違いがボトムゲート型TFTの特性に及ぼす影響について検討した結果を報告する．

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680633740928
  • NII論文ID
    130005486863
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2015a.0_511
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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