Ge(100)2×1およびGe(111)c(2×8)表面の室温酸化物の放射光光電子分光研究 Synchrotron radiation photoemission study on oxides formed at Ge(100)2x1 and Ge(111)c(2x8) surfaces

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GeはSiより優れたキャリアー移動度を有するため、次世代LSIの代替えチャネル材料として注目されている.酸素ガスおよび超音速酸素分子線によって超高真空中で作成したGe(100)2×1およびGe(111)c(2×8)清浄表面を室温酸化したものを比較した.発表では、放射光光電子分光によって明らかになった吸着量や酸化価数の違いおよび酸化反応メカニズムなどを報告する.

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  • Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 35(0), 158, 2015

    The Surface Science Society of Japan

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