ペンタセン単結晶上C60ヘテロエピタキシャルpn接合の斜入射Ｘ線回折法による構造解析

• 中山 泰生

  東京理科大学理工学部工業化学科

• 水野 裕太

  千葉大学大学院融合科学研究科

• 鶴田 諒平

  東京理科大学理工学部工業化学科

• 山本 真之

  千葉大学大学院融合科学研究科

• 石井 久夫

  千葉大学大学院融合科学研究科 千葉大学先進科学センター

• 上野 信雄

  千葉大学大学院融合科学研究科

• Hinderhofer Alexander

  Institute of Applied Physics, University of Tübingen

• Frank Heiko

  Institute of Applied Physics, University of Tübingen

• Gerlach Alexander

  Institute of Applied Physics, University of Tübingen

• Schreiber Frank

  Institute of Applied Physics, University of Tübingen

• 細貝 拓也

  産業技術総合研究所計量標準総合センター

• 小金澤 智之

  高輝度光科学研究センター

書誌事項

タイトル別名

• Hetero-epitaxial pn-junction of C60 on pentacene single crystal studied by grazing incidence x-ray diffraction

抄録

多くの有機デバイスにおいて，ドナー材料とアクセプタ材料との界面は「pn接合」に相当し，電子機能性の枢要部である。本研究では，有機分子間pn接合の形成機構を解明することを目的とし，高秩序で均一なペンタセン単結晶(PnSC)表面上にC₆₀を積層した界面の構造と成長様式を斜入射Ｘ線回折法により調べた。その結果，PnSCに対しエピタキシャルかつ結晶子サイズ100 nmに迫るC₆₀結晶薄膜の形成を実証した。

収録刊行物

• 表面科学学術講演会要旨集

  表面科学学術講演会要旨集 35 (0), 215-, 2015

  公益社団法人 日本表面真空学会

キーワード

• 放射光
• 表面回折
• 有機半導体
• 界面
• 太陽電池

詳細情報

• CRID: 1390001205677475456
• NII論文ID: 130005489238
• DOI: 10.14886/sssj2008.35.0_215
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可