MoS2上に作製したシリコンナノシートの構造および電子状態の層数依存性

• 重原 正明

  大阪大学大学院工学研究科

• 久家 隆太郎

  大阪大学大学院工学研究科

• 中島 規晴

  大阪大学大学院工学研究科

• 田畑 博史

  大阪大学大学院工学研究科

• 久保 理

  大阪大学大学院工学研究科

• 片山 光浩

  大阪大学大学院工学研究科

書誌事項

タイトル別名

• Layer Number Dependence of Structure and Electronic Density of States of Silicon Nanosheet Formed on MoS2

抄録

シリセンは、シリコンにより形成されたグラフェン類似の層状物質であり、高移動度FETチャネル等への利用が期待されている。しかし、既報シリセンの多くは金属基板上に作製されたものであり、チャネル材料に応用はできない。我々は半導体であるMoS₂基板上にシリコンを堆積させ、様々な層数のシリコンナノシート（Si NS）を形成した。講演では、これらのSi NSの構造、及び、電子状態の層数依存性について報告する。

収録刊行物

• 表面科学学術講演会要旨集

  表面科学学術講演会要旨集 35 (0), 325-, 2015

  公益社団法人 日本表面真空学会

キーワード

• シリセン
• 薄膜
• STM
• STS

詳細情報

• CRID: 1390001205678574208
• NII論文ID: 130005489310
• DOI: 10.14886/sssj2008.35.0_325
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可