超音速分子線を用いて酸化したSi(113)表面の電子状態解析 Analysis of electronic states on Si(113) surfaces oxidized by a supersonic seeded molecular beam technique

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Siナノワイヤトランジスタ等の3次元構造をもつMOSFET構造においては様々な面方位のSiO<sub>2</sub>/Si界面が存在し、Si高指数面上に形成される極薄酸化膜の構造や電子状態のより詳細な理解が求められている。本研究では、SPring-8 BL23SUの表面化学実験ステーション(SUREAC2000)においてSi(113)表面酸化過程のリアルタイム光電子分光実験を行った。

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  • Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 35(0), 382, 2015

    The Surface Science Society of Japan

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