高誘電率絶縁膜の電子親和力の決定およびSiO2との界面で生じる電位変化の定量

• 藤村 信幸

  名古屋大学

• 大田 晃生

  名古屋大学

• 池田 弥央

  名古屋大学

• 牧原 克典

  名古屋大学

• 宮崎 誠一

  名古屋大学

書誌事項

タイトル別名

• Evaluation of Electron Affinity of High-k Dielectrics and Potential Change at Ultrathin High-k/SiO2 Interface

抄録

本研究では、MOSトランジスタのゲート絶縁膜で用いられているAl₂O₃、HfO₂およびY₂O₃などの高誘電率(high-k)絶縁膜の電子親和力とhigh-k/SiO₂界面で生じる電位変化についてXPSにより定量する。試料の価電子帯上端位置とバンドギャップを定量することで、電子親和力を求めた。さらに、SiO₂との界面で生じる電位変化量を二次光電子信号より見積もり、O1s信号より求めた原子密度と実測したhigh-k/SiO₂界面での電位変化が線形に相関することを明らかにした。

収録刊行物

• 表面科学学術講演会要旨集

  表面科学学術講演会要旨集 37 (0), 55-, 2017

  公益社団法人 日本表面真空学会

キーワード

• 酸化膜
• 界面

詳細情報

• CRID: 1390001205678912512
• NII論文ID: 130005974919
• DOI: 10.14886/sssj2008.37.0_55
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可