光スピンホール効果エリプソメトリの開発(第一報)基本原理の検証

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抄録

半導体デバイス等における薄膜計測では,非破壊・非接触で計測可能なエリプソメトリが広く利用されている.試料の特性を決定するために,偏光状態の変化を光強度から取得する従来の手法に対して,本研究では,光スピンホール効果を利用した新たな計測手法を提案する.光スピンホール効果によって分離した光線シフト量は,偏光状態の変化に依存するため,シフト量を計測することで偏光計測を可能にする.

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  • CRID
    1390001205658786816
  • NII論文ID
    130006043639
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2017s.0_279
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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