MOSFETのサブスレッショルド特性を利用した超低消費電力CMOS参照電圧源回路(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)

• 上野 憲一

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 廣瀬 哲也

  神戸大学大学院工学研究科

• 浅井 哲也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 雨宮 好仁

  北海道大学大学院情報科学研究科

書誌事項

タイトル別名

• An Ultra-low Power Voltage Reference Circuit consisting of Subthreshold MOSFETs
• MOSFETのサブスレッショルド特性を利用した超低消費電力CMOS参照電圧源回路
• MOSFET ノ サブスレッショルド トクセイ オ リヨウシタ チョウテイショウヒ デンリョク CMOS サンショウ デンアツゲン カイロ

抄録

MOSFETのサブスレッショルド特性を利用した超低消費電力で動作する参照電圧源回路を提案する.この回路は,絶対零度におけるMOSFETのしきい値電圧を出力する.0.35-μm CMOSプロセスにより試作を行い,その動作を確認した.-20℃-80℃の温度変動に対して参照電圧の値は745mVの一定値であり,温度係数は7ppm/℃,1.4V-3Vの電源電圧の変動に対して参照電圧の変動は20ppm/Vであった.PSRR特性は,100Hzにおいて-45dBである.この回路はサブスレッショルド領域と強反転線形領域で動作するCMOS回路のみで構成し,0.3μWの超低消費電力で動作する.また,回路の出力は絶対零度におけるMOSFETのしきい値電圧のため,オンチップでLSI内のプロセスバラツキをモニタすることができる.したがって,出力電圧の特性を利用することでアナログ回路のプロセスバラツキ補正に応用可能である.

収録刊行物

• 映像情報メディア学会技術報告

  映像情報メディア学会技術報告 32.45 (0), 55-60, 2008

  一般社団法人 映像情報メディア学会

キーワード

• CMOS
• 参照電圧源
• サブスレッショルド(弱反転)領域
• 線形領域
• 極低消費電力

詳細情報

• CRID: 1390282679502303360
• NII論文ID: 110007384715
• NII書誌ID: AN1059086X
• DOI: 10.11485/itetr.32.45.0_55
• ISSN: 24241970
• ISSN: 13426893
• NDL書誌ID: 9709742
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9709742
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可