PL発光を生じる半導体薄膜による高温超伝導体THz波発振デバイスの新規温度分布観測  [in Japanese] The new measurement technique of High-T<sub>c</sub> superconducting THz emitting device's temperature distribution by growth of semiconducting thin film with PL emission.  [in Japanese]

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<p>我々はBi2212高温超電導体THz波発振デバイス表面にSiCの微結晶を塗布し、そのPhoto-Luminescence(PL)発光を観測することでデバイス温度の直接観測を行ってきた。しかしこの方法では空間分解能が微結晶の粒径により制限され、数μm程度が限界であった。そこで今回はSiCやZnOなどの半導体薄膜を成長させることにより、デバイスの温度分布観測を試みた。これを使えばより詳細なデバイスの温度分布も測定可能となることからTHz波発振機構の解明に重要であると考えられる。</p>

Journal

  • Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 71.2(0), 1986-1986, 2016

    The Physical Society of Japan

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