硬X線光電子分光によるEu(Rh<sub>1-x</sub>Ir<sub>x</sub>)<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>の温度誘起価数転移の研究

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タイトル別名
  • Hard X-ray Photoemission Study of the Temperature-Induced Valence Transition System Eu(Rh<sub>1-x</sub>Ir<sub>x</sub>)<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>

抄録

<p>Eu(Rh_1-x_Ir_x_)_2_Si_2_が示す温度誘起価数転移を電子状態の立場から解明することを目的として、硬X線光電子分光実験を行った。得られたEu 3dスペクトルからEu平均価数の温度依存性を評価すると共に、そのスペクトル形状を不純物アンダーソンモデルで解析することで価数転移に重要な物理パラメータを導出した。その結果、陰イオン置換系であるEuNi_2_(Si_1-x_Ge_x_)_2_と比較して、c-f混成が大きく働いていることが分かった。</p>

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205958029952
  • NII論文ID
    130006244935
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2141
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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