r面サファイヤ基板上に作製したa軸配向ZnO薄膜の電気特性

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タイトル別名
  • Electrical properties of a-axis oriented ZnO films grown on r-sapphire substrates

抄録

ZnOは近年、高効率な発光素子、フラットパネルディスプレイや太陽電池の透明電極材料として期待されている。ZnOは青色発光ダイオードとして実用化されているGaNと同じウルツアイト構造を有し、c軸方向に自発分極を持つ。GaN発光デバイスでは効率改善のため、薄膜成長方向が自発分極方向と垂直になる非極性面成長に関する研究が盛んに行われている。ZnOにおいても、非極性面成長に関する知見を得ることは、発光デバイスや圧電デバイスへの応用を考える際に重要である。本研究では、r面サファイヤ基板上にa面配向ZnOおよび(Mg, Zn)O薄膜をパルス・レーザー・デポジション法で作製し、その構造および電気特性評価を行った。作製した薄膜をホール効果測定装置で評価したところ、ホール移動度は膜厚に対して依存性を示さなかったのに対し、電子キャリア濃度は膜厚が増加するにつれて減少していく傾向を示した。

収録刊行物

詳細情報

  • CRID
    1390001205618336384
  • NII論文ID
    130006976782
  • DOI
    10.14853/pcersj.2011s.0.315.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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