Study on Polishing Mechanism of Silicon Carbide Semiconductor Based on the Evaluation of Polished Surface

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  • 加工表面の分析評価に基づいたSiC半導体の加工メカニズムの研究

Abstract

SiCのSi終端面の研磨能率,結晶構造の安定性,加工面の平滑性の向上を目的として超精密ポリシング技術の研究を行っている.これまでに酸化クロム砥石,砥粒を中心としたポリシングを行い,その表面のFT-IR,XPSによる分析·評価から研磨のメカニズムを推定した.また新たに酸化チタン光触媒による研磨法の検討も行った.

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  • CRID
    1390001205647790848
  • NII Article ID
    130007001948
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2002a.0.163.0
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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