メサ構造化による極浅層試料のSIMS分析

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タイトル別名
  • SIMS analysis for ultra shallow layer by mesa-structure preparation

抄録

SIMS分析をより精確に行うことを目標に，これまでメサ構造化により微小領域のデプスプロファイルの改善を得てきた。今回，nmオーダーのHfO2の薄層を試料に用い，メサ構造化とフラット試料についてSIMSデプスプロファイルを比較検討した。SIMS分析における，一次イオンエネルギー，走査領域，検出領域の調整，さらに機種による比較を行った。セクター型，Q-pole型，TOF-SIMSを用いて，デプスプロファイルを測定し，極浅層のSIMS分析の可能性を探った。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205678072320
  • NII論文ID
    130007008112
  • DOI
    10.14886/sssj2008.30.0.446.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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