塗布形成した三酸化モリブデン正孔注入層を用いたトップゲート有機電界効果トランジスタの移動度改善

• 饗庭 智也

  大阪府立大学　大学院工学研究科　電子・数物系専攻

• 永瀬 隆

  大阪府立大学　大学院工学研究科　電子・数物系専攻 大阪府立大学　分子エレクトロニックデバイス研究所

• 小林 隆史

  大阪府立大学　大学院工学研究科　電子・数物系専攻 大阪府立大学　分子エレクトロニックデバイス研究所

• 貞光 雄一

  日本化薬株式会社　研究企画部

• 内藤 裕義

  大阪府立大学　大学院工学研究科　電子・数物系専攻 大阪府立大学　分子エレクトロニックデバイス研究所

書誌事項

タイトル別名

• Improvement of Field-effect Mobility in Top-gate Organic Field-effect Transistors Using Solution-processed Molybdenum Trioxide Hole Injection Layers
• トフ ケイセイ シタ サン サンカ モリブデン セイコウ チュウニュウソウ オ モチイタ トップゲート ユウキ デンカイ コウカ トランジスタ ノ イドウド カイゼン

抄録

塗布成膜した三酸化モリブデン (MoO₃) を正孔注入層として用い，2,7-dioctyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene (C₈-BTBT) を半導体層とする塗布型トップゲート有機電界効果トランジスタ (OFET) の高移動度化を検討した．MoO₃水溶液をAuソース·ドレイン電極を有するSi/SiO₂基板上にスピンコートすることでC₈-BTBT半導体層に対する正孔注入層を形成した．MoO₃塗布注入層にUV/O₃処理を施すことでトップゲートC₈-BTBT FETの接触抵抗が0.4kΩcmまで低減され，チャネル長5μmの素子で最高で1.4cm²V^-1s^-1の高い実効移動度が得られることが分かった．得られた結果は，UV/O₃処理したMoO₃注入層がC₈-BTBTの正孔ドープ層として働き，トップゲートC₈-BTBT FETのアクセス抵抗成分を低減させることを示唆している．

収録刊行物

• 日本画像学会誌

  日本画像学会誌 57 (5), 537-542, 2018-10-10

  一般社団法人 日本画像学会

キーワード

• 有機電界効果トランジスタ
• ジオクチルベンゾチエノベンゾチオフェン (C₈-BTBT)
• トップゲート構造
• 三酸化モリブデン
• UV/O₃処理

詳細情報

• CRID: 1390282763058749952
• NII論文ID: 130007497679
• NII書誌ID: AA1137305X
• DOI: 10.11370/isj.57.537
• ISSN: 18804675
• ISSN: 13444425
• NDL書誌ID: 029312337
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029312337
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可