SiC表面分解法を用いたカーボンナノチューブの生成条件の研究

• 濱田 聖

  九工大院

• 内藤 正路

  九工大院

• 碇 智徳

  宇部高専

書誌事項

タイトル別名

• Production conditions of CNT using SiC surface decomposition method

抄録

本研究ではSiC表面分解法を用い、CNTの生成条件の解明を目的とし、熱処理時間変化がCNT成長に与える影響と、また熱処理前の加工として基板表面へのIB照射がCNT成長に与える影響を調べた。その結果、熱処理時間の増加に伴って生成されるCNT長も増加する。熱処理前にイオン照射電流10μAでIB照射を行ったところ、イオン照射なしの場合に生成されたCNT長を大幅に上回ることが分かった。

収録刊行物

• 表面科学学術講演会要旨集

  表面科学学術講演会要旨集 2018 (0), 116-, 2018

  公益社団法人 日本表面真空学会

詳細情報

• CRID: 1390564238047720576
• NII論文ID: 130007519111
• DOI: 10.14886/sssj2008.2018.0_116
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可