円偏光二次元光電子回折法によるトポロジカル超伝導体CuドープBi₂Se₃のドーパントサイトの観察

• 荻 昌史

  奈良先端大物質

• 橋本 由介

  奈良先端大物質

• 桃野 浩樹

  奈良先端大物質

• 深見 駿

  奈良先端大物質

• 小林 進大

  奈良先端大物質

• 彭 大巍

  奈良先端大物質

• 俣野 和明

  岡大理

• 松田 博之

  奈良先端大物質

• 田口 宗孝

  東芝ナノアナリシス株式会社

• 鄭 国慶

  岡大理

• 大門 寛

  奈良先端大物質

書誌事項

タイトル別名

• Observation of dopant sites in Cu-doped Bi₂Se₃ topological superconductor by Circularly-Polarized-Light Two-Dimensional Photoelectron Diffraction

抄録

トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃は、Cuをドープすると4K以下でトポロジカル超伝導状態を発現することが知られている。しかし、表面付近の結晶性の不均一性から、超伝導の発現に重要な結晶表面付近におけるCuのドーパント位置の詳細は明らかにされていない。そこで、本研究では左右円偏光を用いた二次元光電子回折法による構造解析により、結晶表面中のCuドーパントサイトの特定を試みた。詳細はポスター発表にて述べる。

収録刊行物

• 表面科学学術講演会要旨集

  表面科学学術講演会要旨集 2018 (0), 298-, 2018

  公益社団法人 日本表面真空学会

詳細情報

• CRID: 1390282763071024768
• NII論文ID: 130007519273
• DOI: 10.14886/sssj2008.2018.0_298
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可