ナノスケールReRAMデバイスのIn-situ TEM解析

• 有田 正志

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 福地 厚

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 高橋 庸夫

  北海道大学大学院情報科学研究科

書誌事項

タイトル別名

• In-situ TEM of Nanoscale ReRAM Devices
• ナノスケールReRAMデバイスのIn-situ TEM解析 : ナノプローブによる電気測定と微細構造変化
• ナノスケール ReRAM デバイス ノ In-situ TEM カイセキ : ナノプローブ ニ ヨル デンキ ソクテイ ト ビサイ コウゾウ ヘンカ
• ―ナノプローブによる電気測定と微細構造変化―
• ―Operation and Device Microstructure―

抄録

In-situ transmission electron microscopy (in-situ TEM) has been applied to understand the operation mechanism of resistive random access memories (ReRAMs) and their device degradation and failure. Formation and erasure of the conductive filament (CF) was experimentally confirmed to contribute the ReRAM operation. Very tiny CF was formed at the resistance change, and it grew much with subsequent current flow. Realistic device structure was also investigated.

収録刊行物

• 表面と真空

  表面と真空 61 (12), 766-771, 2018-12-10

  公益社団法人 日本表面真空学会

キーワード

• in-situ TEM
• real time observation
• resistive RAM (ReRAM)
• resistive switching
• device failure

詳細情報

• CRID: 1390564238050741376
• NII論文ID: 130007528739
• NII書誌ID: AA12808657
• DOI: 10.1380/vss.61.766
• ISSN: 24335843
• ISSN: 24335835
• NDL書誌ID: 029402700
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/029402700
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029402700
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/vss/61/12/61_20180241/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可