III-V族化合物半導体ナノワイヤトランジスタ集積技術

• 冨岡 克広

  北海道大学 大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

書誌事項

タイトル別名

• Heterogeneous integration of vertical III-V nanowires on Si and their transistor applications
• Ⅲ-Ⅴ ゾク カゴウブツ ハンドウタイ ナノワイヤトランジスタ シュウセキ ギジュツ

抄録

シリコン集積回路・トランジスタの微細化限界が近づく中，次世代エレクトロニクスの喫緊の課題は，高性能化と超低消費電力化を同時に実現する基盤技術の創出であり，新たなゲート構造・チャネル材料・スイッチング機構・集積構造の導入が検討されている．チャネルが縦方向に配向した縦型ナノワイヤトランジスタもその一貫であり，実質的なスケーリングを継続したまま，これらの課題を解決できる潜在性がある．本稿では，現在の集積回路技術の動向・課題を踏まえながら，シリコン上のIII‐V族化合物半導体ナノワイヤ成長の基礎から縦型トランジスタ応用とその展望について解説する．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 88 (4), 245-251, 2019-04-10

  公益社団法人 応用物理学会

詳細情報

• CRID: 1390845702281173376
• NII論文ID: 130007709428
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.88.4_245
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 029666445
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I029666445
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可