異原子導入によるSiC MOSFETの特性改善 Improvements in SiC MOSFET characteristics by the incorporation of foreign atoms

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著者

    • 岡本 大 OKAMOTO Dai
    • 筑波大学 数理物質系物理工学域 University of Tsukuba, Faculty of Pure and Applied Sciences, Division of Applied Physics
    • 矢野 裕司 YANO Hiroshi
    • 筑波大学 数理物質系物理工学域 University of Tsukuba, Faculty of Pure and Applied Sciences, Division of Applied Physics

抄録

<p>電気エネルギーの大幅な省エネルギー化をもたらす技術として,パワーエレクトロニクスが注目されている.近年,次世代のパワー半導体デバイスとして,シリコンカーバイド(SiC)を用いたパワーMOSFETが実用化され,市販が開始された.しかし,SiCを用いたパワーMOSFETにおいては,SiO<sub>2</sub>/SiC界面に存在する界面準位の影響により,チャネル領域において十分な電界効果移動度が得られていないことが問題となっている.本稿では,これまで問題となっていた低い電界効果移動度を克服するために我々が取り組んできた,リン(P)やホウ素(B)などの異原子をSiO<sub>2</sub>/SiC界面に導入する手法について紹介する.</p>

<p>Power electronics has recently attracted much attention as a technology to reduce electricity consumption. As a next-generation power semiconductor device, SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) have been commercialized and gradually put into practical use. However, the channel mobility of SiC MOSFETs fabricated by standard dry oxidation is extremely low due to the high density of the interface states at the SiO<sub>2</sub>/SiC interface, thus hindering the development of SiC power MOSFETs. In this article, we review our recent study on gate oxide formation processes to enhance the field-effect mobility by incorporating impurities such as phosphorus or boron atoms into the SiO<sub>2</sub>/SiC structures.</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 86(9), 781-785, 2017

    公益社団法人 応用物理学会

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    130007715571
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • ISSN
    0369-8009
  • NDL 記事登録ID
    028541813
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    NDL  J-STAGE 
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