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- ファム ナム ハイ
- 東京工業大学 工学院電気電子系
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- レ デゥック アイン
- 東京大学 大学院工学系研究科電気系工学専攻
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- グエン タン トゥ
- 東京大学 大学院工学系研究科電気系工学専攻
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- 田中 雅明
- 東京大学 大学院工学系研究科電気系工学専攻
書誌事項
- タイトル別名
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- Fe-doped ferromagnetic semiconductors and their device applications
- テツケイ キョウジセイ ハンドウタイ ノ ソウセイ ト デバイス オウヨウ
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抄録
<p>磁性体と半導体の性質を併せもつ材料である強磁性半導体は,1990年代からIII‐V族ベースの(Ga,Mn)Asを中心に世界的に数多くの研究が行われてきた.しかし,20年以上にわたるMn系III‐V族強磁性半導体の大規模な研究にもかかわらず,デバイス応用の障害となるさまざまな問題が残っている.本稿では,新しい強磁性半導体として,鉄系III‐V族強磁性半導体の結晶成長,基本的な磁気特性をはじめとする物性を紹介し,鉄系強磁性半導体の特色を生かした半導体スピンデバイスへの応用について議論する.</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 87 (10), 754-758, 2018-10-10
公益社団法人 応用物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390845702285137024
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- NII論文ID
- 130007715656
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 029303520
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
- KAKEN
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可