書誌事項
- タイトル別名
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- Sputter deposition of high quality ZnO films
- スパッタリングセイマクホウ ニ ヨル コウヒンシツ サンカ アエン ハクマク ノ ケイセイ
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抄録
<p>スパッタリング成膜法を用いた酸化亜鉛(ZnO)薄膜の結晶成長において,初期核形成を制御する新しい方法「不純物添加結晶化(Impurity Mediated Crystallization: IMC)法」を開発した.本手法により,高格子不整合基板上への原子レベルで平坦なZnO単結晶膜の作製や,ガラス基板上への極薄低抵抗ZnO導電膜の形成が可能となった.本稿では,IMC法について紹介するとともに,これら成果の概要を述べる.</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 83 (5), 385-389, 2014-05-10
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390845702285834496
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- NII論文ID
- 130007718591
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 025509698
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
- KAKEN
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可