酸化銀分解反応を用いた銀- シリコン接合における界面形成過程

DOI Web Site Web Site 参考文献14件
  • 松田 朋己
    大阪大学大学院 工学研究科 マテリアル生産科学専攻
  • 伊波 康太
    大阪大学大学院 工学研究科 マテリアル生産科学専攻
  • 本山 啓太
    大阪大学大学院 工学研究科 マテリアル生産科学専攻
  • 佐野 智一
    大阪大学大学院 工学研究科 マテリアル生産科学専攻
  • 廣瀬 明夫
    大阪大学大学院 工学研究科 マテリアル生産科学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Formation Process of the Interface in the Ag/Si Joints by the Decomposition Reaction of Ag2O
  • サンカギン ブンカイ ハンノウ オ モチイタ ギン-シリコン セツゴウ ニ オケル カイメン ケイセイ カテイ

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抄録

Silicon-based materials are widely promising electronic components by the combination with metals in power electronics field. Joining between metal and Si-based materials, e.g., Si and SiC, substrate generally requires the indirect process involving specific surface modification such as metallization because of their characteristics of chemical bond. In this study, we report the metal-tosilicon joining without surface treatment such as metallization by using the decomposition reaction of silver oxide. The interfacial microstructure of Si/Ag significantly changed before and after the thermal decomposition of Ag2O. Ag bonded to silicon-based materials through a thin SiO2 layer before thermal decomposition. In contrast, Ag bonded to silicon-based materials through a thick SiO2 layer containing Ag nanoparticles after the reaction. MD simulations revealed Ag atoms embedded in SiO2 near the surface contribute to the bonding between Ag and SiO2. It was concluded that the joining is due to the presence of Ag inside SiO2 regardless of the thermal decomposition, determining the interfacial microstructure.

収録刊行物

  • Journal of Smart Processing

    Journal of Smart Processing 8 (5), 177-183, 2019

    一般社団法人 スマートプロセス学会 （旧高温学会）

参考文献 (14)*注記

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