イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究 (II)

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タイトル別名
  • Growth control of graphene on the SiC substrate using ion beam irradiation (II)

抄録

<p>我々はSiC表面分解法を用いたグラフェン形成に関する研究を行ってきた。SiC表面分解法ではSiC基板を高温で加熱しなければならず、高品質のグラフェンを得るためにはプロセスの低温化が必要になってくると思われる。あらかじめSiC基板にイオンビームを照射しておくことで、グラフェンの低温形成が可能ではないかと考え、様々な条件で実験を行った。</p>

収録刊行物

詳細情報

  • CRID
    1390564227329731840
  • NII論文ID
    130007737525
  • DOI
    10.14886/jvss.2019.0_1p19
  • ISSN
    24348589
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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