分子吸着によるMoS₂-FET電気特性の変化

• 高岡 毅

  東北大多元研

• 和泉 廣樹

  東北大院理

• Md Iftekhal Alam

  東北大院理

• Muhammad Shamim Al Mamun

  東北大院理

• 田中 悠太

  東北大院理

• Nguyen Tat Trung

  JAXA

• 安藤 淳

  産総研

• 米田 忠弘

  東北大多元研

書誌事項

タイトル別名

• The effect of the Molecular adsorption on Electrical properties of MoS₂-FET

抄録

遷移金属ダイカルコゲナイドとして知られるMoS₂薄膜は高いオン／オフ電流比を有する電界効果トランジスタ（FET）として期待され、大きな関心を寄せられている。 機械的剥離により、厚さ285 nmのSiO₂層を有するn型Si基板上にMoS₂薄層を堆積させた。 本論文では、MoS₂-FETを用いてCl₂やTCNQなどの小分子の吸着を検出した。 MoS₂薄膜に基づくFETセンサは、小分子に対して高い感度を示す。

収録刊行物

• 日本表面真空学会学術講演会要旨集

  日本表面真空学会学術講演会要旨集 2019 (0), 3Ba05-, 2019

  公益社団法人 日本表面真空学会

詳細情報

• CRID: 1390001277376945920
• NII論文ID: 130007737714
• DOI: 10.14886/jvss.2019.0_3ba05
• ISSN: 24348589
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可