光導波路のパッシベーションのためのゾルゲルSiO2層表面の改善検討
書誌事項
- タイトル別名
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- Surface Improvement Investigation of Sol-Gel SiO2 Cladding for Waveguide Device Passivation
抄録
<p>For exploiting sol-gel SiO2 for waveguide device passivation, we have investigated the surface condition of sol-gel SiO2 on top of Si, and have confirmed that the main cause of anti-etching property was due to the formation of polymer layer after curing process with 500 ℃ of sol-gel SiO2. To improve the surface condition, plasma-ashing, in addition to 700 ℃ annealing, is proposed. Regular opening of SiO2 layer on Si with etching rate of 1.8 μm/min and sufficient electrical insulation (>10^13 Ω/m) toward proper current induced refractive index change have been successfully confirmed.</p>
収録刊行物
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- 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集
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電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2018 (0), 402-402, 2018-09-19
電気・情報関係学会九州支部連合大会委員会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390565134817768448
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- NII論文ID
- 130007787940
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可