原子欠損あるいはBoronやNitrogen原子置換を有するグラフェン並びにシリセンの電子構造

DOI Web Site 参考文献11件
  • 佐藤 万紗子
    早稲田大学理工学術院, 169-8555, 東京都新宿区大久保3-4-1
  • 鈴木 郁哉
    早稲田大学理工学術院, 169-8555, 東京都新宿区大久保3-4-1
  • 神保 佳永子
    早稲田大学理工学術院, 169-8555, 東京都新宿区大久保3-4-1
  • 武田 京三郎
    早稲田大学理工学術院, 169-8555, 東京都新宿区大久保3-4-1

書誌事項

タイトル別名
  • Electronic Structures of Graphene and Silicene HavingSeveral Kinds of Imperfections such as Atomic Vacancies andHeteroatoms Replacement

抄録

<p>第一原理クラスター計算により決定された局所構造変形を採り入れたグラフェンおよびシリセンにおける原子欠損並びに原子置換に伴う電子状態を強結合(Tight Binding; TB)バンド計算を用いて算出した． 置換原子としてはπ電子欠損を発生するBoron (B)およびπ電子余剰を発生するNitrogen (N)，さらにはBとN対置換を含むπ電子補償系を考察し，それらのバンド構造を明らかにした．</p>

収録刊行物

参考文献 (11)*注記

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