良好な絶縁性を有する<i>c</i>軸配向PZT系単結晶薄膜のSi基板上への形成

• 海老原 凌

  東北大学大学院工学研究科ロボティクス専攻田中（秀）研究室

• 吉田 慎哉

  東北大学大学院工学研究科ロボティクス専攻田中（秀）研究室

• 田中 秀治

  東北大学大学院工学研究科ロボティクス専攻田中（秀）研究室

書誌事項

タイトル別名

• Fabrication of <i>c</i>-Axis-Oriented PZT-Based Monocrystalline Thin Film with High Insulation Property on Si Substrate
• 良好な絶縁性を有するc軸配向PZT系単結晶薄膜のSi基板上への形成
• リョウコウ ナ ゼツエンセイ オ ユウスル cジクハイコウ PZTケイタンケッショウ ハクマク ノ Si キバン ジョウ エ ノ ケイセイ

抄録

This paper reports on an approach to fabricate c-axis-oriented PZT-based monocrystalline thin film with high insulation property on Si. We found that the insulation property of the PZT-based monocrystalline thin film on a buffer layer prepared via pulsed laser deposition (PLD) were relatably low. The particle-shaped debris generated in PLD perhaps led to this worse insulation property. It was also found that the insulation property can be improved by additional PZT deposition via a sol-gel process, while the c-axis orientation was decreased. Eventually, the PZT thin film on a buffer layer prepared via sputter deposition exhibited higher insulation property comparable with those of general PZT thin films. This study successfully gives a great knowledge for obtaining the electrically-reliable PZT-based monocrystalline thin film on Si.

収録刊行物

• 電気学会論文誌Ｅ（センサ・マイクロマシン部門誌）

  電気学会論文誌Ｅ（センサ・マイクロマシン部門誌） 140 (6), 137-143, 2020-06-01

  一般社団法人 電気学会

キーワード

• チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）
• エピタキシャル成長
• スパッタ堆積
• 絶縁性

詳細情報

• CRID: 1390285300161246592
• NII論文ID: 130007850137
• NII書誌ID: AN1052634X
• DOI: 10.1541/ieejsmas.140.137
• ISSN: 13475525
• ISSN: 13418939
• NDL書誌ID: 030469102
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I030469102
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/140/6/140_137/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可