光触媒を用いた紫外線励起研磨

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タイトル別名
  • Ultraviolet-excitation polishing using photocatalyst:
  • 光触媒を用いた紫外線励起研磨 : 4H-SiCの研磨面粗さの微小化と酸化物除去の追究
  • ヒカリ ショクバイ オ モチイタ シガイセン レイキ ケンマ : 4H-SiC ノ ケンマメン アラサ ノ ビショウカ ト サンカブツ ジョキョ ノ ツイキュウ
  • study of roughness decrease and oxide removal of the polished 4H-SiC plane
  • –4H-SiCの研磨面粗さの微小化と酸化物除去の追究–

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抄録

<p>紫外線照射や各種研磨条件下で，4H-SiCを研磨したとき，研磨面に生成する酸化物類の相対成分割合をXAFS分析により明らかにするとともに，反応生成物の除去を行うことができる技術的方策を検討した．ここでは，研磨面粗さをRaで0.5 nm，Rzで2 nm以下くらい，酸化物類の残留量を相対成分割合で 1 %以下を最終目標とし，紫外線励起下で4H-SiCの研磨現象を追究し，化学状態の分析を行った．最小の研磨面粗さの追究と最少の酸化物類の生成に対して，技術開発的な知見を得ることを目的とした結果，次のような結言を得ることができる．砥粒が研磨作用面に達しないとき，紫外線を照射すると，SiCの酸化膜ができる．28.8 nmのダイヤモンド砥粒を用い，パッドを網目状にして，硬くすると，酸化物類の相対成分割合の合計が，10 %以下の平滑な研磨面が得られる．砥粒粒径を小さくすると，酸化物類が少なくなるので，5 nmダイヤモンド砥粒や0.5 μm CeO2を用いて研磨すると，研磨面粗さが0.5 nm以下と小さく，界面酸化物が1 %以下，SiO2が0 %の，酸化物類が極少ない研磨面が得られる．</p>

収録刊行物

  • 砥粒加工学会誌

    砥粒加工学会誌 63 (12), 630-637, 2019-12-01

    社団法人 砥粒加工学会

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